[发明专利]形成存储节点的方法及使用其形成电容器的方法有效
| 申请号： | 201210132585.3 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646640A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宋翰相;朴钟国 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了形成存储节点的方法及使用其形成电容器的方法。该形成存储节点的方法包括：在衬底上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成蚀刻停止层和第一牺牲层；将第一牺牲层和蚀刻停止层图案化，以形成限定存储节点接触孔的第一牺牲层图案和蚀刻停止层图案；形成凹进的第一存储节点导电图案，该凹进的第一存储节点导电图案保形地覆盖存储节点接触孔的下部侧壁和底表面；形成第二存储节点导电图案，该第二存储节点导电图案包括被凹进的第一存储节点导电图案围绕的第一部分和保形地覆盖存储节点接触孔的上部侧壁的第二部分；以及去除第一牺牲层图案。凹进的第一存储节点导电图案和第二存储节点导电图案构成存储节点。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储 节点 方法 使用 电容器 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件中形成存储节点的方法，该方法包括：在衬底上形成层间绝缘层；在该层间绝缘层上依次形成蚀刻停止层和第一牺牲层；将该第一牺牲层和该蚀刻停止层图案化，以形成限定存储节点接触孔的第一牺牲层图案和蚀刻停止层图案；形成凹进的第一存储节点导电图案，该凹进的第一存储节点导电图案保形地覆盖该存储节点接触孔的下部侧壁和底表面；形成第二存储节点导电图案，该第二存储节点导电图案包括被该凹进的第一存储节点导电图案围绕的第一部分和保形地覆盖该存储节点接触孔的上部侧壁的第二部分；以及去除该第一牺牲层图案，其中，该凹进的第一存储节点导电图案和该第二存储节点导电图案构成存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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