[发明专利]一种连续制备二维纳米薄膜的装置

摘要

本发明公开了一种连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于在生产线上依次设置有进料腔室、第一处理腔室、第一平衡腔室、薄膜制备腔室、第二平衡腔室、第二处理腔室和出料腔室；进料腔室、第一处理腔室、薄膜制备腔室、第二处理腔室和出料腔室中至少一个腔室设有加热装置；各腔室之间设有阀门、真空系统和气体管道，样品通过样品传送装置在各腔室之间传输；薄膜制备腔室设有薄膜沉积系统。本发明结构简单、工作可靠，可连续大面积地制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适应于产业化制备二维纳米薄膜。

主权项

一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于在生产线上依次设置有进料腔室(4)、第一处理腔室(8)、第一平衡腔室(10)、薄膜制备腔室(11)、第二平衡腔室(12)、第二处理腔室(13)和出料腔室(16)，其中：进料腔室(4)设有与大气相通的阀门(3)，进料腔室(4)与第一处理腔室(8)之间设有阀门(31)，第一处理腔室(8)与第一平衡腔室(10)之间设有阀门(32)，第一平衡腔室(10)与薄膜制备腔室(11)之间设有阀门(33)，薄膜制备腔室(11)与第二平衡腔室(12)之间设有阀门(34)，第二平衡腔室(12)与第二处理腔室(13)之间设有阀门(35)，第二处理腔室(13)与出料腔室(16)之间设有阀门(36)，出料腔室(16)设有与大气相通的阀门(37)；进料腔室(4)、第一处理腔室(8)、第一平衡腔室(10)、薄膜制备腔室(11)、第二平衡腔室(12)、第二处理腔室(13)和出料腔室(16)均设有样品传送装置；进料腔室(4)、第一处理腔室(8)、薄膜制备腔室(11)、第二处理腔室(13)和出料腔室(16)中的至少一个腔室设有加热装置；进料腔室(4)、第一处理腔室(8)、第一平衡腔室(10)、薄膜制备腔室(11)、第二平衡腔室(12)、第二处理腔室(13)和出料腔室(16)中的至少一个腔室设有一个或多个气体连接口；进料腔室(4)、第一处理腔室(8)、第一平衡腔室(10)、薄膜制备腔室(11)、第二平衡腔室(12)、第二处理腔室(13)和出料腔室(16)分别连接独立的抽真空装置。