[发明专利]冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法无效
| 申请号： | 201210123816.4 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102810596A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨华;余义;宋光华;李庄 | 申请（专利权）人： | 上澎太阳能科技(嘉兴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 314031 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法，所述方法包括常规制绒过程，所述方法还包括在所述常规制绒过程之前设置有预处理过程。本发明的方法通过在常规制绒过程之前设置预处理过程，添加碱性物质和氧化物的方法，对于杂质含量高，表面状况复杂的冶金级硅的单晶以及类单晶硅片，获得的绒面效果均匀，清晰，反射率可从14％降到8％，全片硅片反射率的均匀性可达+/-2％。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 级单晶 以及 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法，所述方法包括常规制绒过程，其特征在于，所述方法还包括在所述常规制绒过程之前设置有预处理过程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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