[发明专利]半导体器件结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210121140.5 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377934A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述半导体衬底上依次覆盖第一层间介质层和第一高介电常数介质层；刻蚀去除第一区域上的第一高介电常数介质层和第一层间介质层；在所述第一区域上形成第二层间介质层；在所述半导体衬底上覆盖第二高介电常数介质层。本发明所述半导体器件结构的制造方法在具有高介电常数介质层及金属栅极的半导体器件结构中，在不同开启电压的晶体管结构上形成不同厚度的栅氧化层和不同厚度的高K介质层，从而精确控制半导体器件结构上不同区域的操作电压，制造方法简单易行，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述半导体衬底上依次覆盖第一层间介质层和第一高介电常数介质层；刻蚀去除第一区域上的第一高介电常数介质层和第一层间介质层；在所述第一区域上形成第二层间介质层；在所述半导体衬底上覆盖第二高介电常数介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
