[发明专利]一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法

摘要

一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法，涉及抗辐射加固电路领域。为解决现有技术中对于不同形状环形栅器件的参数不确定，具有一定的局限性的问题提供本发明，本发明一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法为：首先在环形栅器件版图形成的多边形上测量一条边的漏区侧长度d和源区、漏区最小距离L；然后对环形栅器件版图上的一条边进行分割，分别计算分割后每段的等效宽度，得出这条边的等效宽度，最后分别计算出每条边的等效宽度，相加获得整个环形栅器件版图上的等效宽度。本发明用于各种环形栅器件版图上的等效宽度测定，进而验证环形栅器件版图设计的正确性和利用环形栅器件参数模拟实际电路进行仿真实验。

主权项

1.一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：在环形栅器件版图形成的多边形上测量一条边的漏区侧长度d和源区、漏区最小距离L；步骤二：将步骤一中的多边形的边进行划分并计算划分后每个部分的等效宽度，具体划分及计算方法是：步骤A：判断d-2aL是否大于0，其中a＝0.05，当d-2aL＞0时，则执行步骤B，否则执行步骤C；步骤B：当d-2aL＞0时，在所述多边形的边距离漏区侧两端为aL处做垂线，此垂线做为分割线，将所述的多边形的边分为边缘晶体管T2及拐角晶体管T1两部分，边缘晶体管T2等效为条形器件进行计算，将位于所述多边形的边距离漏区侧两端的拐角晶体管T1等效为扇形器件进行计算，边缘晶体管T2的等效宽度与拐角晶体管T1的等效宽度之和即为所述的多边形的边的等效宽度；边缘晶体管T2等效宽度W_T2计算公式为：W_T2＝d-2aL拐角晶体管T1等效宽度W_T1计算公式为：WT1=2πRXn]]>其中n为所述多边形的边数，R_X为电势差为50％V_DS处等势线半径，V_DS为漏源电压，R₁为等效为扇形器件的内部半径，R₂为等效为扇形器件的外部半径，R1=αLtan(π/n),]]>R₂＝R₁+L；步骤C：当d-2aL≤0时，在所述多边形的边距离漏区侧两端为d/2处做垂线，此垂线做为分割线，此时所述多边形的边分割成相同的两部分构成的拐角晶体管T1′，拐角晶体管T1′等效为扇形器件进行计算；拐角晶体管T1′等效宽度W_T1′计算公式为：WT1′=2πRX′n]]>其中R_X′为电势差为50％V_DS处等势线半径，V_DS为漏源电压，R₁′为等效为扇形器件的内部半径，R₂′为等效为扇形器件的外部半径，R₂′＝R₁′+L；步骤三：对环形栅器件版图形成的多边形上的其它各边分别执行步骤一及步骤二，获得每条边的等效宽度，将多边形的所有边的等效宽度相加，获得环形栅器件版图上等效宽度。