[发明专利]一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法

权利要求书

1.一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：在环形栅器件版图形成的多边形上测量一条边的漏区侧长度d和源区、漏区最小距离L；

步骤二：将步骤一中的多边形的边进行划分并计算划分后每个部分的等效宽度，具体划分及计算方法是：

步骤A：判断d-2aL是否大于0，其中a＝0.05，当d-2aL＞0时，则执行步骤B，否则执行步骤C；

步骤B：当d-2aL＞0时，在所述多边形的边距离漏区侧两端为aL处做垂线，此垂线做为分割线，将所述的多边形的边分为边缘晶体管T2及拐角晶体管T1两部分，边缘晶体管T2等效为条形器件进行计算，将位于所述多边形的边距离漏区侧两端的拐角晶体管T1等效为扇形器件进行计算，边缘晶体管T2的等效宽度与拐角晶体管T1的等效宽度之和即为所述的多边形的边的等效宽度；

边缘晶体管T2等效宽度W_T2计算公式为：

W_T2＝d-2aL

拐角晶体管T1等效宽度W_T1计算公式为：

WT1=2πRXn]]>

其中n为所述多边形的边数，R_X为电势差为50％V_DS处等势线半径，V_DS为漏源电压，R₁为等效为扇形器件的内部半径，R₂为等效为扇形器件的外部半径，R1=αLtan(π/n),]]>R₂＝R₁+L；

步骤C：当d-2aL≤0时，在所述多边形的边距离漏区侧两端为d/2处做垂线，此垂线做为分割线，此时所述多边形的边分割成相同的两部分构成的拐角晶体管T1′，拐角晶体管T1′等效为扇形器件进行计算；

拐角晶体管T1′等效宽度W_T1′计算公式为：

WT1′=2πRX′n]]>

其中R_X′为电势差为50％V_DS处等势线半径，V_DS为漏源电压，R₁′为等效为扇形器件的内部半径，R₂′为等效为扇形器件的外部半径，R₂′＝R₁′+L；

步骤三：对环形栅器件版图形成的多边形上的其它各边分别执行步骤一及步骤二，获得每条边的等效宽度，将多边形的所有边的等效宽度相加，获得环形栅器件版图上等效宽度。

2.如权利要求1所述的环形栅器件版图上等效宽度测定方法，其特征在于所述的环形栅器件为截角正方形器件，所述多边形的每条边的漏区侧长度d相等，每条边的L也相等，步骤A中d-2aL＞0，步骤B中n取值为4。

3.如权利要求1所述的环形栅器件版图上等效宽度测定方法，其特征在于所述的环形栅器件为圆形器件，此时所述多边形的每条边的漏区侧长度d＝0，步骤A中d-2aL＜0，步骤C中n＝1，等效宽度W_E的值为公式：

WE=2π(R11+L)R11]]>

其中R₁₁为圆形器件的内部半径。