[发明专利]一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法

说明书

技术领域

本发明一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法，涉及抗辐射加固电路领域。

背景技术

应用于空间环境的集成电路由于受到空间辐射的影响，其正常工作状态会受到严重影响。造成器件失效的空间辐射效应主要包括两类：SEU(单粒子效应)与TID(总剂量效应)。单粒子效应是指高能粒子撞击存储器使其内部存储节点发生翻转，从而导致电路出现故障。错误纠正码是解决这一问题很好的方法。

TID(总剂量效应)是由于穿过集成电路的辐射粒子产生电子-空穴对引起的。辐射产生的空穴能够长时间堆积在场氧化层中，而引起沟道载流子被Si-SiO₂截面俘获。这将对器件产生如下不良影响：

1)阈值电压漂移

2)漏电流增加

3)载流子迁移率下降

漏电流增加是主要关心的问题。在厚场区氧化层和薄栅氧化层之间的区域称为“鸟嘴”区域。被“鸟嘴”区域俘获的正电荷能够吸引电子而形成源漏之间的寄生通路。这将使得NMOS(金属-氧化物-半导体)管在关断状态下也会出现大的漏电流。无边缘器件是解决这一问题的最有效的办法。在无边缘器件中最常用的是环形栅器件。

目前芯片生产厂家已经建立了比较精确的电学模型来帮助设计者更好的完成电路设计，包括验证版图设计的正确性和利用器件参数模拟实际电路进行仿真实验。但是这些电学模型都是为条形栅器件而设计。其以栅的中线长度作为器件的等效宽度，以源漏区的最短距离作为器件的等效长度。但是对于环形栅器件来说，如果以中线长度W_midline作为等效长度是不精确的，目前比较通用的求解环形栅器件版图中等效宽长比的方法是采用黎曼映射，将器件的拐角映射成等效的条形栅器件，从而获得拐角处的等效宽长比，再将其求和即可得到器件的等效宽长比。但是该方法对于不同形状环形栅器件的参数不确定，具有一定的局限性。

发明内容

一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法，为解决现有技术中对于不同形状环形栅器件的参数不确定，具有一定的局限性的问题提供本发明，本发明一种环形栅器件版图上等效宽度测定方法包括以下步骤：

步骤一：在环形栅器件版图形成的多边形上测量一条边的漏区侧长度d和源区、漏区最小距离L；

步骤二：将步骤一中的多边形的边进行划分并计算划分后每个部分的等效宽度，具体划分及计算方法是：

步骤A：判断d-2aL是否大于0，其中a＝0.05，当d-2aL＞0时，则执行步骤B，否则执行步骤C；

步骤B：当d-2aL＞0时，在多边形的边距离漏区侧两端为aL处做垂线，此垂线做为分割线，将所述的多边形的边分为边缘晶体管T2及拐角晶体管T1两部分，边缘晶体管T2等效为条形器件进行计算，将位于多边形的边距离漏区侧两端的拐角晶体管T1等效为扇形器件进行计算，边缘晶体管T2的等效宽度与拐角晶体管T1的等效宽度之和即为多边形的边的等效宽度；

边缘晶体管T2等效宽度W_T2计算公式为：

W_T2＝d-2aL

拐角晶体管T1等效宽度W_T1计算公式为：

WT1=2πRXn]]>