[发明专利]一种宽带离子束传输方法及离子注入机有效
申请号: | 201210118487.4 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN103377865A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 彭立波;龙会跃;谢均宇 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;张彬 |
地址: | 101111 北京市中关村科技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种宽带离子束传输方法,其采用两个独立的磁场:分析磁场和校正磁场,以及分析光栏对宽带离子束进行传输;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转;本发明还公开了一种离子注入机。由于分析磁场和校正磁场使离子束在水平方向沿不同方向偏转,使得宽带离子束中所需的离子从校正磁场的出射面射出时具有与入射时相同的分布。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽带 离子束 传输 方法 离子 注入 | ||
【主权项】:
一种宽带离子束传输方法,包括以下步骤:分析磁场对从其入射面射入的宽带离子束进行质量分析,以使所述宽带离子束中所需的离子从其出射面射出后在距离其出射面一定距离处形成焦斑;设于所述焦斑处的分析光栏选择性地使所述所需的离子通过;校正磁场对通过所述分析光栏后再次扩散并从其入射面射入的离子束进行角度校正,以使通过所述校正磁场后从其出射面射出的离子束具有一致的角度分布;其中所述分析磁场和校正磁场是两个独立的磁场,其特征在于,若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转。
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