[发明专利]具不均匀侧边的发光二极管结构无效
| 申请号： | 201210116465.4 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103094445A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄国瑞 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具不均匀侧边的发光二极管结构，可用于诸如一般发光二极管、高压发光二极管、交流电发光二极管等发光二极管领域；其发光区域的侧边透过蚀刻的手段，制作为具有凹入部和凸出部交错的不均匀表面；在其结构可达到较大的侧边出光面积之下，发光二极管的发光效率得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 不均匀 侧边 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种具不均匀侧边的发光二极管结构，其特征在于包含：一基板；一N型半导体层，是设于该基板的上方；一发光层，是设于该N型半导体层的上方；及一P型半导体层，是设于该发光层的上方；其中，该N型半导体层的一上部、该发光层及该P型半导体层的侧边边缘具有复数个凹入部与复数个凸出部，该些凹入部与该些凸出部是交错排列。
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