[发明专利]激光剥离装置无效
申请号: | 201210114459.5 | 申请日: | 2012-03-14 |
公开(公告)号: | CN102683248A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 野村彻;筱山一城 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种激光剥离装置,消除由于向工件照射激光而从工件产生的各种尘粒的恶劣影响。在工件载放台(10)的载放台部(11)的周缘,设置由环状外壁部(21b)和顶壁部(21a)构成的环状壁部(21)。在载放台部(11)上在多个位置设置用于与排气机构连接的排出口(12)。在该排出口(12)上通过配管(22)例如连接泵、风扇等排气机构,吸引环状壁部(21)内的空气。通过用激光照射工件(1),从其边缘部与气体一起向由环状外壁部(21b)和顶壁部(21a)划分的内部空间(A)喷出的尘粒,通过朝向排出口(12)的流体的流动,从在载放台部(11)上设置的排出口(12)排出。 | ||
搜索关键词: | 激光 剥离 装置 | ||
【主权项】:
一种激光剥离装置,具有:载放台部,载放在基板上形成材料层而成的工件;和激光源,对该工件射出透射该基板的波长区域的激光,该激光剥离装置相对地传送该工件和该激光源并穿透该基板而照射激光,在该基板与该材料层的界面分解该材料层,从而从该基板剥离该材料层,上述激光剥离装置的特征在于,具有集尘机构,该集尘机构收集由于向上述工件照射激光而从该工件的边缘部与该工件面平行地喷出的尘粒,上述集尘机构具有比上述工件的边缘部处的基板与材料层的粘合面向上方伸出的壁面、以及上述尘粒的排出口,该壁面的端部以不遮挡从上述激光源照射的激光的方式位于上述工件的边缘部的附近,上述激光剥离装置还具有利用差压向该壁面与上述载放台部之间的空间引导从上述工件的边缘部与该工件面平行地喷出的尘粒并使该尘粒从上述排出口排出的机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造