[发明专利]一种高能量密度电容器的制备方法有效
申请号: | 201210112200.7 | 申请日: | 2012-04-17 |
公开(公告)号: | CN102623174A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01G4/00 | 分类号: | H01G4/00 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;杨保刚 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高能量密度电容器的制备方法,首先通过真空沉积方法在多孔聚碳酸酯材料内制备金属薄膜,然后在金属膜表面通过原子层沉积的方法制备纳米介电薄膜作为电容器电介质材料,最后在介电薄膜上通过原子层沉积方法获得纳米薄膜作为电极,形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米超薄结构,使得电容器具有大的能量密度,同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷,并且制备方法合理简单,易于操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 高能量 密度 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高能量密度电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①将柔性多孔聚碳酸酯基体材料进行表面等离子体处理; ②采用真空蒸发的方法在经表面等离子体处理的多孔聚碳酸酯基体材料上制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极; ③采用原子层沉积方法在金属纳米薄膜表面沉积介电纳米薄膜作为电容器介质材料; ④采用原子层沉积方法继续在介电纳米薄膜表面沉积金属纳米薄膜作为另一个电极,从而在多孔纳米结构中获得一种金属‑金属氧化物‑金属的电容器结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210112200.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。