[发明专利]一种高能量密度电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201210112200.7 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102623174A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高能量 密度 电容器 制备 方法 | ||
1. 一种高能量密度电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①将柔性多孔聚碳酸酯基体材料进行表面等离子体处理；
②采用真空蒸发的方法在经表面等离子体处理的多孔聚碳酸酯基体材料上制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极；
③采用原子层沉积方法在金属纳米薄膜表面沉积介电纳米薄膜作为电容器介质材料；
④采用原子层沉积方法继续在介电纳米薄膜表面沉积金属纳米薄膜作为另一个电极，从而在多孔纳米结构中获得一种金属-金属氧化物-金属的电容器结构。
2. 根据权利要求1所述的一种高能量密度电容器的制备方法，其特征在于，步骤②中所述的金属纳米薄膜为Au或Cu金属纳米薄膜。
3. 根据权利要求1所述的一种高能量密度电容器的制备方法，其特征在于，步骤③中所述的介电纳米薄膜为HfO2或Al2O3纳米薄膜。
4. 根据权利要求1所述的一种高能量密度电容器的制备方法，其特征在于，步骤④中所述的金属纳米薄膜为TiN或AlN纳米薄膜。
5. 根据权利要求1～4任一项所述的一种高能量密度电容器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
①将柔性多孔聚碳酸酯基体材料放入真空腔体中，进行表面等离子体处理，聚碳酸酯膜的厚度为20～30μm，材料中孔尺寸：长度10～15μm，直径50～70nm；
②将表面等离子体处理的多孔聚碳酸酯基体材料放入真空蒸发设备腔体中，采用真空蒸发沉积的方法制备Au金属纳米薄膜作为电容器一个电极，薄膜厚度为5～10nm；
③将制备了金属电极的多孔聚碳酸酯基体材料放入原子层沉积设备腔体中，采用原子层沉积的方法沉积Al2O3介电纳米薄膜作为电容器介质材料，薄膜的厚度为5～10nm；
④在介质薄膜材料表面采用原子层沉积的方法制备TiN金属纳米薄膜作为电容器电极，薄膜厚度为5～10nm；
由①～④步骤获得了一种基于多孔纳米结构的金属-金属氧化物-金属的高能量密度电容器结构。
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