[发明专利]背接触层及将其制作在碲化镉薄膜太阳能电池上的方法无效

专利信息
申请号: 201210112099.5 申请日: 2012-04-17
公开(公告)号: CN102629630A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 彭寿;潘锦功;谢义成;傅干华 申请(专利权)人: 成都中光电阿波罗太阳能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 泰和泰律师事务所 51219 代理人: 魏常巍;伍姝茜
地址: 610200 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种可用于碲化镉薄膜太阳能电池的背接触层,包括层叠的钼层、铝层和铬层,该背接触层用于碲化镉薄膜太阳能电池能够使CdTe的费米能级与背电极匹配,有效获得欧姆接触;本发明还提供了将该背接触层制作在碲化镉薄膜太阳能电池上的方法,先对碲化镉层进行氯化镉热退火处理和酸腐蚀,然后在碲化镉层表面喷涂氯化铜水溶液,再加热太阳能电池一定时间,最后用磁控溅射法在碲化镉薄膜的外表面依次沉积钼层、铝层和铬层,本方法操作简单,制作的背接触层薄膜结构致密、晶粒尺寸适宜,背接触层所含的各金属层之间金属原子扩散小,使碲化镉薄膜太阳能电池的开路电压和填充因子高,电池初始性能、长期稳定性优异,转换效率高。
搜索关键词: 接触 制作 碲化镉 薄膜 太阳能电池 方法
【主权项】:
一种背接触层,其特征在于:包括依次沉积的钼层、铝层和铬层。
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