[发明专利]背接触层及将其制作在碲化镉薄膜太阳能电池上的方法无效
申请号: | 201210112099.5 | 申请日: | 2012-04-17 |
公开(公告)号: | CN102629630A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 彭寿;潘锦功;谢义成;傅干华 | 申请(专利权)人: | 成都中光电阿波罗太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 泰和泰律师事务所 51219 | 代理人: | 魏常巍;伍姝茜 |
地址: | 610200 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种可用于碲化镉薄膜太阳能电池的背接触层,包括层叠的钼层、铝层和铬层,该背接触层用于碲化镉薄膜太阳能电池能够使CdTe的费米能级与背电极匹配,有效获得欧姆接触;本发明还提供了将该背接触层制作在碲化镉薄膜太阳能电池上的方法,先对碲化镉层进行氯化镉热退火处理和酸腐蚀,然后在碲化镉层表面喷涂氯化铜水溶液,再加热太阳能电池一定时间,最后用磁控溅射法在碲化镉薄膜的外表面依次沉积钼层、铝层和铬层,本方法操作简单,制作的背接触层薄膜结构致密、晶粒尺寸适宜,背接触层所含的各金属层之间金属原子扩散小,使碲化镉薄膜太阳能电池的开路电压和填充因子高,电池初始性能、长期稳定性优异,转换效率高。 | ||
搜索关键词: | 接触 制作 碲化镉 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种背接触层,其特征在于:包括依次沉积的钼层、铝层和铬层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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