[发明专利]一种SOI MEMS单片集成方法

摘要

本发明提供了一种SOI MEMS单片集成方法，本发明的方法包括：在硅片上采用常规标准的CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片正面溅射钛层和铝层，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；在CMOS电路和MEMS结构之间采用深槽刻蚀，形成隔离槽；在硅片背面形成掩膜，刻蚀硅片，直至暴露出SOI硅片中的绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；利用硅片正面的金属掩膜，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；裂片、封装、测试。本发明提出的SOI MEMS单片集成方法不仅综合了表面Post-CMOS和体硅MEMS加工的优点，具有大的质量块和检测电容，能够制造高性能的惯性传感器，且在MEMS结构跟电路的隔离以及MEMS结构区厚度均与性的控制等方面具有很好的优势。

主权项

一种SOI MEMS单片集成方法，其步骤包括：（a）在SOI硅片上采用常规标准的CMOS工艺完成集成电路（5）部分的制作；（b）在SOI硅片上淀积钝化层（4）保护所述的集成电路部分；（c）在SOI硅片正面溅射钛层和铝层，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线（6）；（d）在CMOS电路和MEMS结构之间采用深槽刻蚀至绝缘层，形成隔离槽（7）；（e）采用各向同性刻蚀，去掉隔离槽中MEMS结构与电路金属连线下的硅墙；（f）在SOI硅片背面形成掩膜，刻蚀硅片，直至暴露出SOI硅片中的绝缘层（2）；（g）刻蚀SOI硅片背面暴露出的绝缘层（2）；（h）利用SOI硅片正面的金属掩膜，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构（8）；（i）裂片、封装、测试。