[发明专利]耐高温晶振晶体片的真空镀膜方法无效
| 申请号： | 201210110485.0 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102618833A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朱木典 | 申请（专利权）人： | 东海县海峰电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种耐高温晶振晶体片的真空镀膜方法，它以硅酸镓镧晶体片或者二氧化硅晶体片为载体，采用蒸镀的方式在晶体片的正反两面镀上金与银组合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10%；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，按重量配比将金、银合金材料置于分子泵镀膜机的钼舟上；启动分子泵镀膜机，在真空状态下加热放置金、银合金材料的钼舟，至金、银合金材料升华并镀至晶体片的一面上形成合金膜后，翻转夹具，采用相同的方式将金、银合金材料镀至晶体片的另一面上。采用本发明方法制成的晶体片，镀膜的耐高温能力有效地提高，膜的附着力更强，不容易脱落，其老化率降低，延缓老化，使其性能更稳定，有效地提高了晶振的合格率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 耐高温 晶体 真空镀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种耐高温晶振晶体片的真空镀膜方法，其特征在于：它以硅酸镓镧晶体片或者二氧化硅晶体片为载体，采用蒸镀的方式在晶体片的正反两面镀上金与银组合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10~50%；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，按重量配比将金、银合金材料置于分子泵镀膜机的钼舟上；启动分子泵镀膜机，在真空状态下加热放置金、银合金材料的钼舟，至金、银合金材料升华并镀至晶体片的一面上形成合金膜后，翻转夹具，采用相同的方式将金、银合金材料镀至晶体片的另一面上，即可。
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