[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件制造方法，利用纯氮化硅层替代器件再氧化工艺，避免了栅极堆叠结构底部鸟嘴侵入物的形成，同时改善了栅极堆叠结构侧壁和顶部的微笑效应，提高了栅极堆叠结构的厚度均匀性以及栅介质层的膜品质；同时通过在移除虚拟栅极层的接触孔中重新填充栅电极的后栅极工艺来改善栅极结构的晶格缺陷，提高器件性能。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积栅介质层、虚拟栅极层；图案化所述虚拟栅极层和栅介质层以形成栅极堆叠结构；湿法清洗包括所述栅极堆叠结构的器件表面，并在所述器件表面沉积纯氮化硅层，所述纯氮化硅层覆盖栅极堆叠结构的侧壁、顶部及栅介质层与半导体衬底；在所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中进行轻掺杂源/漏区离子注入；在所述纯氮化硅层上形成氧化硅层，刻蚀所述氧化硅层和纯氮化硅层形成栅极堆叠结构两侧的侧墙；在所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中进行重掺杂源/漏区离子注入；在所述纯氮化硅层上方沉积接触孔刻蚀停止层并顶部平坦化至所述虚拟栅极层；移除所述虚拟栅极层形成接触孔，并在所述接触孔中填充多晶硅或金属以形成栅电极。