[发明专利]电容器和制造电容器的方法有效
| 申请号： | 201210107432.3 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102969342A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 安启玓;陈建宏;詹玉娟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件，包括衬底，具有至少一个有源区；绝缘层，位于衬底上方；以及电极，位于绝缘层上方的栅电极层中，该衬底、绝缘层、以及电极形成金属氧化物半导体(MOS)电容器。第一接触层设置在电极上方，该第一接触层具有延长的第一图案，该延长的第一图案在与电极平行的第一方向上延伸。接触结构与衬底接触。接触结构具有延长的第二图案，该延长的第二图案与第一图案平行地延伸。介电材料形成在第一图案和第二图案之间，从而使得第一图案和第二图案和介电材料形成侧壁电容器，该侧壁电容器与MOS电容器并联。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底，具有：至少一个有源区、位于所述衬底上方的绝缘层、以及位于所述绝缘层上方的栅电极层中的电极，形成金属氧化物半导体MOS电容器；第一接触层，位于所述电极上方，具有延长的第一图案，在与所述电极平行的第一方向上延伸；接触结构，与所述衬底接触，所述接触结构具有延长的第二图案，与所述第一图案平行地延伸；以及介电材料，位于所述第一图案和所述第二图案之间，使得所述第一图案和所述第二图案以及所述介电材料形成第一侧壁电容器，所述第一侧壁电容器与所述MOS电容器并联。
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