[发明专利]多层陶瓷天线及其制备方法无效
| 申请号： | 201210106851.5 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623798A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 唐伟;许宏志;韩世雄;卢宁;左丽花 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层陶瓷天线及其制备方法。所述陶瓷天线包括陶瓷介质和位于陶瓷介质中的多层辐射导体带，其特征在于，还包括第一外围封端金属，所述多层辐射导体带共同延伸至陶瓷介质的某一侧面，所述第一外围封端金属对所述侧面进行封端使得多层辐射导体带层间互联。本发明中的多层陶瓷天线内部的多层辐射导体带共同延伸至陶瓷介质的某一侧面，通过这一侧面的外围封端金属，实现了得多层辐射导体带层间互联；通过陶瓷介质馈入面的外围封端金属，实现辐射导体带与外部的微带馈线的电气连接；通过使用封端金属避免了通孔的使用所带来的生产周期过长，批量生产成本增加的问题，且对加工精度要求较低，降低了加工难度，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 天线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层陶瓷天线，包括，陶瓷介质和位于陶瓷介质中的多层辐射导体带，其特征在于，还包括第一外围封端金属，所述多层辐射导体带共同延伸至陶瓷介质的某一侧面，所述第一外围封端金属对所述侧面进行封端使得多层辐射导体带层间互联。
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