[发明专利]用于二极管器件的解剖工艺

摘要

本发明公开一种用于二极管器件的解剖工艺，包括：将烧杯中浓度为98%的浓硫酸持续加热到95℃；将二极管器件放置于其中，将经步骤三的二极管器件置于丙酮溶液中；硝酸和双氧水按照5：0.8~1.2比例在烧杯形成第一混合溶液，将二极管器件浸入此第一混合溶液；取硝酸和水按照5：1.8~2.2比例在烧杯形成第二混合溶液，再将经步骤五去铜后的二极管器件置于沸腾状态下的第二混合溶液，保持时间为5min~10min；将经二极管器件经水冲洗后，浸入丙铜溶液对此二极管器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得所述二极管芯片。本发明解剖工艺去除环氧层的同时不会对器件内部结构产生任何影响，极大的提高了分析数据的可靠性。

主权项

一种用于二极管器件的解剖工艺，所述二极管器件由被环氧树脂（1）包覆的二极管芯片（2）、2个铜引线（3）和位于二极管芯片（2）表面和铜引线（3）之间焊锡层（4）组成；其特征在于：所述解剖工艺包括以下步骤：步骤一、将烧杯中浓度为98%的浓硫酸加热到至沸腾；步骤二、将所述二极管器件放置于所述步骤一的烧杯中，持续加热，当此二极管器件裸露出所述芯片的侧面和铜引线部分区域后，则将该二极管器件从烧杯中移出；步骤三、将经步骤二的二极管器件放置于清水中，随后进行超声波振荡清洗，当所述环氧树脂去除后，则将该二极管器件从清水中移出；步骤四、将经步骤三的二极管器件置于丙酮溶液中；步骤五、硝酸和双氧水按照5：0.8~1.2比例在烧杯形成第一混合溶液，将经步骤四的二极管器件浸入此第一混合溶液10~15分钟取出经水冲洗后，再取适量丙铜对器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得去铜后的二极管器件； 步骤六、取硝酸和水按照5：1.8~2.2比例在烧杯形成第二混合溶液，并将此第二混合溶液加热至沸腾状态，再将经步骤五去铜后的二极管器件置于沸腾状态下的第二混合溶液，保持时间为5 min~10min；步骤七、将经步骤六的二极管器件经水冲洗后，浸入丙铜溶液对此二极管器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得所述二极管芯片。