[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，绝缘栅双极晶体管包括单个元胞并联而成的元胞区、终端区和划片槽；元胞区包括多晶硅栅电极、发射极、与发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N-衬底、透明集电极区和集电极。多级场板中的氮氧化硅层有腐蚀阻挡层的作用，对工艺精度要求低；并且氮氧化硅层致密性好，提高晶体管的稳定性和可靠性。发射极采用挖槽式，并在挖槽后侧向腐蚀氧化层可以在降低欧姆接触电阻的同时增大金属接触面积，使散热更均匀，器件的高温特性更好。所述元胞采用Spacer结构，利用一套光刻版注入P和N型区，可以避免套刻误差，确保元胞沟道的一致性，改善动态特性；同时可以省一道光刻板，减少工艺步骤，节约成本。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管包括单个元胞并联而成的元胞区、终端区和划片槽；其特征在于：所述元胞区包括多晶硅栅电极、金属发射极、与所述发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N‑衬底、透明集电极区和集电极；所述终端区包括多级场板、N‑衬底、透明集电极区和集电极；所述透明集电极区位于所述N‑衬底和集电极的中间，所述多级场板位于N‑衬底的上部。