[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201210105487.0 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103378140A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高明超;于坤山;金锐;温家良;袁玉湘;刘江;刘钺杨;赵哿;韩荣刚;杨霏;张冲 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/417;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管包括单个元胞并联而成的元胞区、终端区和划片槽；其特征在于：所述元胞区包括多晶硅栅电极、金属发射极、与所述发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N-衬底、透明集电极区和集电极；所述终端区包括多级场板、N-衬底、透明集电极区和集电极；所述透明集电极区位于所述N-衬底和集电极的中间，所述多级场板位于N-衬底的上部。
2.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述金属发射极为挖槽式结构，并在挖槽后侧向腐蚀氧化层。
3.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述N+发射区和所述P+发射区分别位于所述N-衬底内的N阱区和P阱区内。
4.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述多级场板包括金属发射极、多晶硅栅电极和氧化层。
5.根据权利要求4所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述氧化层为阶梯结构。
6.根据权利要求4或5所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述氧化层包括厚度为0.1～0.2um的栅氧化层、厚度为1～2um的场氧化层；厚度为2～4um的由场氧化层和隔离氧化层以下至上依次叠加构成的二元复合层和厚度为5～10um的由场氧化层、隔离氧化层、氮氧化硅氧化层和二氧化硅氧化层以下至上依次叠加构成的四元复合层。
7.根据权利要求6所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述二元复合层的场氧化层厚度为1～2um，隔离氧化层厚度为1～2um；所述四元复合层的场氧化层厚度为1～2um，隔离氧化层厚度为1～2um，氮氧化硅氧化层的厚度为0.1～0.6um，二氧化硅氧化层的厚度为3～6um。
8.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述元胞采用Spacer结构。
9.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述N+发射区和P+发射区以Spacer结构作为注入掩蔽层形成。
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