[发明专利]一种SiO2减反射薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210097416.0 申请日: 2012-04-01
公开(公告)号: CN102617045A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 宋伟杰;兰品军;李佳;鲁越晖;杨晔;谭瑞琴 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种SiO2减反射薄膜,包括光伏玻璃衬底以及依次涂覆在光伏玻璃衬底上的10nm-30nm厚的第一SiO2致密层、50nm-300nm厚的SiO2纳米空心颗粒层和填充在SiO2纳米空心颗粒层中SiO2纳米空心颗粒之间孔隙中的第二SiO2致密物;第二SiO2致密物的填充总量等同于5nm-30nm厚的第一SiO2致密层中SiO2致密物的量。该薄膜具有优良的减反射性能、耐擦拭性能和耐久性。本发明还公开了该制备方法:在光伏玻璃上制备第一SiO2致密层,再制备SiO2纳米空心颗粒层并填充第二SiO2致密物,经高温处理得到SiO2减反射薄膜。该方法操作简单,适合工业化大规模应用。
搜索关键词: 一种 sio sub 反射 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种SiO2减反射薄膜,包括光伏玻璃衬底以及依次涂覆在光伏玻璃衬底上的10nm‑30nm厚的第一SiO2致密层、50nm‑300nm厚的SiO2纳米空心颗粒层和填充在SiO2纳米空心颗粒层中SiO2纳米空心颗粒之间孔隙中的第二SiO2致密物;所述的第二SiO2致密物的填充总量等同于5nm‑30nm厚的第一SiO2致密层中SiO2致密物的量。
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