[发明专利]石墨烯纳米窄带的制备方法有效
| 申请号： | 201210096864.9 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103359721A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，该基底的温度可通过一加热装置调节；设置一石墨烯膜于该基底的上表面，间隔设置两个相互平行的条形电极于该石墨烯膜远离基底的表面，且与该石墨烯膜电绝缘；提供一碳纳米管拉膜结构，覆盖于该石墨烯膜远离基底的表面，该碳纳米管拉膜结构与所述两个条形电极电接触；通过所述两个条形电极给碳纳米管拉膜结构通电，碳纳米管拉膜结构产生热量，再配合基底温度的调节，烧掉部分石墨烯膜，在基底形成多个定向排列的石墨烯纳米窄带；以及利用超声处理的方法，将碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 窄带 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底以及一加热装置，该基底与该加热装置接触，该加热装置用于调节该基底的温度；设置一石墨烯膜于该基底的上表面，间隔设置两个相互平行的条形电极于该石墨烯膜远离基底的表面，且与该石墨烯膜电绝缘；提供一碳纳米管拉膜结构，覆盖于该石墨烯膜远离基底的表面，该碳纳米管拉膜结构与所述两个条形电极电接触；通过所述两个条形电极给该碳纳米管拉膜结构通电，该碳纳米管拉膜结构产生热量，再配合所述基底温度的调节，烧掉部分所述石墨烯膜，在所述基底形成多个定向排列的石墨烯纳米窄带；以及利用超声处理的方法，将所述碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。
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