[发明专利]石墨烯纳米窄带的制备方法有效
| 申请号： | 201210096864.9 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103359721A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 窄带 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：
提供一基底以及一加热装置，该基底与该加热装置接触，该加热装置用于调节该基底的温度；
设置一石墨烯膜于该基底的上表面，间隔设置两个相互平行的条形电极于该石墨烯膜远离基底的表面，且与该石墨烯膜电绝缘；
提供一碳纳米管拉膜结构，覆盖于该石墨烯膜远离基底的表面，该碳纳米管拉膜结构与所述两个条形电极电接触；
通过所述两个条形电极给该碳纳米管拉膜结构通电，该碳纳米管拉膜结构产生热量，再配合所述基底温度的调节，烧掉部分所述石墨烯膜，在所述基底形成多个定向排列的石墨烯纳米窄带；以及
利用超声处理的方法，将所述碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。
2.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述基底的材料为硅、二氧化硅、碳化硅、石英和玻璃中的一种。
3.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述石墨烯膜由单层石墨烯或多层石墨烯组成，其厚度为0.5纳米至10纳米。
4.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜结构由一碳纳米管拉膜组成。
5.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜结构由多层碳纳米管拉膜重叠设置而成。
6.如权利要求4或5所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管束，以及多个分布于所述碳纳米管束之间且与所述定向排列的方向平行的带状间隙。
7.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜结构的宽度为1厘米至10厘米，厚度为10纳米至100微米。
8.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管束的宽度为5纳米至500微米。
9.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述基底的温度小于等于600摄氏度。
10.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述通过所述两个条形电极给该碳纳米管拉膜结构通电的过程中，所施加的工作电压为1伏~20伏。
11.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述通过所述两个条形电极给该碳纳米管拉膜结构通电的过程中，通电时间为3秒~5分钟。
12.如权利要求1所述的石墨烯纳米窄带的制备方法，其特征在于，所述通过所述两个条形电极给该碳纳米管拉膜结构通电的过程中，所述碳纳米管拉膜结构的温度为100摄氏度~600摄氏度。
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