[发明专利]层叠MIM电容器结构以及半导体器件在审
| 申请号： | 201210093909.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102610660A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种层叠MIM电容器结构以及半导体器件。本发明的层叠MIM电容器结构包括：层叠的第一MIM电容器和第二MIM电容器；其中，第一MIM电容器包括：作为第一MIM电容器的下极板的第一金属层、布置在第一金属层上表面的第一电介质层、布置在第一电介质层上表面的第一上极板、以及通过第一通孔与第一上极板连接的第二金属层；并且其中，第二MIM电容器包括：作为第二MIM电容器的下极板的第二金属层、布置在第二金属层上表面的第二电介质层、布置在第二电介质层上表面的第二上极板、以及通过第二通孔与第二上极板连接的第三金属层；其中，第一电介质层和第二电介质层之一采用二氧化硅作为材料，而第一电介质层和第二电介质层中的另一个采用氮化硅作为材料。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 mim 电容器 结构 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种层叠MIM电容器结构，其特征在于包括：层叠的第一MIM电容器和第二MIM电容器；其中，第一MIM电容器包括：作为第一MIM电容器的下极板的第一金属层、布置在第一金属层上表面的第一电介质层、布置在第一电介质层上表面的第一上极板、以及通过第一通孔与第一上极板连接的第二金属层；并且其中，第二MIM电容器包括：作为第二MIM电容器的下极板的第二金属层、布置在第二金属层上表面的第二电介质层、布置在第二电介质层上表面的第二上极板、以及通过第二通孔与第二上极板连接的第三金属层；其中，第一电介质层和第二电介质层之一采用二氧化硅作为材料，而第一电介质层和第二电介质层中的另一个采用氮化硅作为材料。
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