[发明专利]电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备有效
| 申请号： | 201210093908.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623057B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备。根据本发明的电可擦可编程只读存储器结构，其包括在行方向和列方向布置的存储单元结构矩阵；其中，同一列的存储单元结构的源极和漏极通过第一金属层依次连接；并且其中，同一行的存储单元结构的字线以及同一行的存储单元结构的控制栅极分别通过第二金属层连接在一起；其中，通过填充了导电材料的接触孔将存储单元结构的有源区接连至第一金属层；并且，所述填充了导电材料的接触孔在存储单元结构矩阵的行方向和列方向均交叉布置。通过利用根据本发明的电可擦可编程只读存储器结构，可以有效地提高存储器的操作速度，减小存储器的尺寸，并且提高存储的耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 结构 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，包括：在行方向和列方向布置的存储单元结构矩阵；其中，同一列的存储单元结构的源极和漏极通过第一金属层依次连接，同一行的存储单元结构的字线以及同一行的存储单元结构的控制栅极分别通过第二金属层连接在一起，通过填充了导电材料的接触孔将存储单元结构的有源区接连至第一金属层，并且，所述填充了导电材料的接触孔在存储单元结构矩阵的行方向和列方向均交叉布置，所述存储单元结构具有两个存储单元，所述两个存储单元的控制栅极和字线是平行的。
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