[发明专利]电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种电可擦可编程只读存储器结构以及采用了该电可擦可编程只读存储器结构的电子设备。

背景技术

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

电可擦可编程只读存储器EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以字节(Byte)为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦除可编程只读存储器)擦除装置和编程器的束缚。

随着电可擦可编程只读存储器EEPROM应用的广泛以及电子设备的进一步小型化以及对电子设备性能的高要求，越来越希望提供更加小型化的更加耐用的电可擦可编程只读存储器结构。并且，还希望能够提高电可擦可编程只读存储器EEPROM的操作速度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种更加小型化的更加耐用的电可擦可编程只读存储器结构。

根据本发明的第一方面，提供了一种电可擦可编程只读存储器结构，其包括：在行方向和列方向布置的存储单元结构矩阵；其中，同一列的存储单元结构的源极和漏极通过第一金属层依次连接；并且其中，同一行的存储单元结构的字线以及同一行的存储单元结构的控制栅极分别通过第二金属层连接在一起；其中，通过填充了导电材料的接触孔将存储单元结构的有源区接连至第一金属层；并且，所述填充了导电材料的接触孔在存储单元结构矩阵的行方向和列方向均交叉布置。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，所述电可擦可编程只读存储器结构是闪存装置结构。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，在对所述电可擦可编程只读存储器结构中的待读取存储单元结构进行读取时，所述待读取存储单元结构的控制栅极的电压为0V，所述待读取存储单元结构的字线上的电压为3V，所述待读取存储单元结构的源极电压为0V，所述待读取存储单元结构的漏极电压为1V。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，在对所述电可擦可编程只读存储器结构中的待擦除存储单元结构进行擦除时，所述待擦除存储单元结构的控制栅极的电压为-7V，所述待擦除存储单元结构的字线上的电压为8V，所述待擦除存储单元结构的源极电压为0V，所述待擦除存储单元结构的漏极电压为0V。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，在对所述电可擦可编程只读存储器结构中的待编程存储单元结构进行编程时，所述待编程存储单元结构的控制栅极CG的电压为8V，所述待编程存储单元结构的字线上的电压为1.5V，所述待编程存储单元结构的源极电压为5V，所述待编程存储单元结构的漏极电压为编程电压。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，所述编程电压为0.4V。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，所述存储单元结构具有两个存储单元，其中只采用所述两个存储单元的一个存储单元来存储信息，而另一个存储单元弃用。

优选地，在电可擦可编程只读存储器结构中，两个存储单元的控制栅极是连在一起的，控制栅极和字线是平行的，控制栅极与字线和源漏极是垂直的，源漏极是相间的。

根据本发明的第二方面，提供了一种配置了根据本发明第一方面所述的电可擦可编程只读存储器结构的电子设备。

通过利用根据本发明的电可擦可编程只读存储器结构，可以有效地提高存储器的操作速度，减小存储器的尺寸，并且提高存储的耐用性。由此，对于采用了根据本发明的电可擦可编程只读存储器结构的电子设备，也可以提高电子设备的耐用性，减小电子设备的尺寸，并且提高电子设备的操作速度。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明实施例的电可擦可编程只读存储器结构。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的读取操作、擦除操作以及编程操作的示例电压。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的电可擦可编程只读存储器结构中使用的存储单元结构的示例。