[发明专利]电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备

权利要求书

1.一种电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，包括：在行方向和列方向布置的存储单元结构矩阵；其中，同一列的存储单元结构的源极和漏极通过第一金属层依次连接，同一行的存储单元结构的字线以及同一行的存储单元结构的控制栅极分别通过第二金属层连接在一起，通过填充了导电材料的接触孔将存储单元结构的有源区接连至第一金属层，并且，所述填充了导电材料的接触孔在存储单元结构矩阵的行方向和列方向均交叉布置，所述存储单元结构具有两个存储单元，所述两个存储单元的控制栅极和字线是平行的。

2.根据权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，所述电可擦可编程只读存储器结构是闪存装置结构。

3.根据权利要求1或2所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，在对所述电可擦可编程只读存储器结构中的待读取存储单元结构进行读取时，所述待读取存储单元结构的控制栅极的电压为0V，所述待读取存储单元结构的字线上的电压为3V，所述待读取存储单元结构的源极电压为0V,所述待读取存储单元结构的漏极电压为1V。

4.根据权利要求1或2所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，在对所述电可擦可编程只读存储器结构中的待擦除存储单元结构进行擦除时，所述待擦除存储单元结构的控制栅极的电压为-7V，所述待擦除存储单元结构的字线上的电压为8V，所述待擦除存储单元结构的源极电压为0V,所述待擦除存储单元结构的漏极电压为0V。

5.根据权利要求1或2所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，在对所述电可擦可编程只读存储器结构中的待编程存储单元结构进行编程时，所述待编程存储单元结构的控制栅极CG的电压为8V，所述待编程存储单元结构的字线上的电压为1.5V，所述待编程存储单元结构的源极电压为5V,所述待编程存储单元结构的漏极电压为编程电压。

6.根据权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，所述编程电压为0.4V。

7.根据权利要求1或2所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，只采用所述两个存储单元的一个存储单元来存储信息，而另一个存储单元弃用。

8.根据权利要求7所述的电可擦可编程只读存储器结构，其特征在于，所述两个存储单元的控制栅极是连在一起的，所述两个存储单元的控制栅极与字线分别和源漏极是垂直的，源漏极是相间的。

9.一种配置了根据权利要求1至8之一所述的电可擦可编程只读存储器结构的电子设备。