[发明专利]光刻套刻方法以及光刻方法有效
| 申请号： | 201210090905.3 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102608877A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 夏婷婷;朱琪;马兰涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻套刻方法以及光刻方法。根据本发明的光刻套刻方法包括：第一步骤，用于建立先前的光罩叠层的透光模型；第二步骤，用于建立当前层光罩的透光模型；第三步骤，用于根据先前的光罩叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型；以及第四步骤，用于根据总透光模型确定参考图标的明暗对比度。根据本发明，仅仅需要根据之前的光罩的透光模型以及当前层光罩的透光模型就可以确定总的透光模型，并根据总的透光模型确定参考图标的明暗对比度，对于光刻工艺的套刻测量来说，不需要在实际的晶圆上进行处理，也不需要跑过相同制程的晶圆的图像，即可得到参考图标的明暗对比度，简化了套刻制程，并且提高了套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种光刻套刻方法，其特征在于包括：第一步骤，用于建立先前的光罩叠层的透光模型；第二步骤，用于建立当前层光罩的透光模型；第三步骤，用于根据先前的光罩叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型；以及第四步骤，用于根据总透光模型确定参考图标的明暗对比度。
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