[发明专利]光刻套刻方法以及光刻方法

权利要求书

1.一种光刻套刻方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于建立先前的光罩叠层的透光模型；

第二步骤，用于建立当前层光罩的透光模型；

第三步骤，用于根据先前的光罩叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型；以及

第四步骤，用于根据总透光模型确定参考图标的明暗对比度。

2.根据权利要求1所述的光刻套刻方法，其特征在于，其中先前的光罩叠层的透光模型由函数Tfs＝(N1，K1；N2，K2；......；Nm，Km)、Tfs＝(N1，N2，......Nm)和Tfs＝(K1，K2，......Km)之一表示，其中m表示先前的光罩叠层中包含的光罩层数，参数Ni(i＝1......m)是表示相应光罩层的折射率的参数，参数Ki(i＝1......m)是表示相应光罩层的光吸收系数的参数。

3.根据权利要求2所述的光刻套刻方法，其特征在于，其中采用分数来量化参数Ni和参数Ki。

4.根据权利要求3所述的光刻套刻方法，其特征在于，其中根据光罩对光的吸收程度，在分数范围内线性地设置参数Ni和参数Ki。

5.根据权利要求1至4之一所述的光刻套刻方法，其特征在于，其中所述参考图标是所有光罩中图案唯一的图标。

6.根据权利要求1至4之一所述的光刻套刻方法，其特征在于，其中所述参考图标是十字形图标。

7.根据权利要求1至4之一所述的光刻套刻方法，其特征在于，在用于根据叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型的第三步骤中，利用T＝a×Tfs+b×Tms来计算总透光模型，其中常数a和常数b满足：0≤a≤1，0≤b≤1，并且a+b＝1。

8.根据权利要求1至4之一所述的光刻套刻方法，其特征在于，在用于根据叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型的第三步骤中，利用T＝c×Tfs²+d×Tms²来计算总透光模型，其中常数c和常数d满足：0≤c≤1，0≤d≤1，并且c+d＝1。

9.根据权利要求1至4之一所述的光刻套刻方法，其特征在于，在用于根据总透光模型确定参考图标的明暗对比度的第四步骤中，在总透光模型中查找参考图标的参数值，并且根据总透光模型中的参考图标的参数值确定参考图标的明暗对比度。

10.一种采用了根据权利要求1至9之一所述的光刻套刻方法的光刻方法。