[发明专利]基于SU-8胶的电喷雾离子聚焦电极的制作方法

摘要

本发明属于微机电系统(MEMS)领域，涉及一种基于SU-8胶的电喷雾离子聚焦电极的制作方法。其特征是利用微加工方法制作三层SU-8结构，采用传统紫外光刻技术，结合三次曝光、一次显影技术和常规蒸发镀膜技术制作带有特殊孔结构的SU-8电极。最终得到的电喷雾离子聚焦结构为一圆柱体，高度为300μm，底面直径为3mm，中心位置有一个阶梯圆柱孔，每一台阶高度为100μm，直径从小到大依次为500μm、640μm和780μm。这种方法制作出电喷雾离子聚焦电极，制作工艺简单、成本低、尺寸小并且容易实现。

主权项

基于SU‑8胶的电喷雾离子聚集电极的制作方法，其特征包括如下步骤：(1)在硅片制作标记点，作为套刻的基准：选用双面抛光的硅片，在硅片一面旋涂一层胶层，对胶层进行前烘；制作一个带有标记点图形的掩膜版，将掩膜版放置在胶层上进行紫外线曝光工艺，使用显影液显影，然后进行后烘；待硅片冷却后，干刻硅，去掉光刻胶，即得到标记点；(2)旋涂牺牲层Omnicoat正胶：在硅片另一面旋涂一层Omnicoat正胶，烘干；(3)进行三次光刻：第一次光刻：在Omnicoat正胶上旋涂第一层SU‑8胶，前烘；取第二个掩膜版，将该掩膜版上的标记点和步骤(1)获得的硅片标记点对准，进行紫外线曝光，后烘；第二次光刻：旋涂第二层SU‑8胶，前烘；取第三个掩膜版，将该掩膜版上的标记点与步骤(1)获得的硅片标记点对准，进行紫外线曝光，后烘；第三次光刻：旋涂第三层SU‑8胶，前烘；取第四个掩膜版，将该掩膜版上的标记点与步骤(1)获得的硅片标记点对准，进行紫外线曝光，后烘；(4)显影脱离：使用SU‑8胶专用显影液显影；将带有胶结构的硅片浸入IPA(异丙醇)中，加以超声振荡，促使胶结构与硅片基底脱离；(5)将脱离的胶结构放入热蒸发镀膜机里蒸镀金属，使得胶结构表面沉积一层金属层，即得到所需要的电喷雾离子聚集电极。