[发明专利]基于SU-8胶的电喷雾离子聚焦电极的制作方法无效
申请号: | 201210085211.0 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102623276A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 邹赫麟;李进 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 关慧贞 |
地址: | 116024*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 su 喷雾 离子 聚焦 电极 制作方法 | ||
1.基于SU-8胶的电喷雾离子聚集电极的制作方法,其特征包括如下步骤:
(1)在硅片制作标记点,作为套刻的基准:选用双面抛光的硅片,在硅片一面旋涂一层胶层,对胶层进行前烘;制作一个带有标记点图形的掩膜版,将掩膜版放置在胶层上进行紫外线曝光工艺,使用显影液显影,然后进行后烘;待硅片冷却后,干刻硅,去掉光刻胶,即得到标记点;
(2)旋涂牺牲层Omnicoat正胶:在硅片另一面旋涂一层Omnicoat正胶,烘干;
(3)进行三次光刻:
第一次光刻:在Omnicoat正胶上旋涂第一层SU-8胶,前烘;取第二个掩膜版,将该掩膜版上的标记点和步骤(1)获得的硅片标记点对准,进行紫外线曝光,后烘;
第二次光刻:旋涂第二层SU-8胶,前烘;取第三个掩膜版,将该掩膜版上的标记点与步骤(1)获得的硅片标记点对准,进行紫外线曝光,后烘;
第三次光刻:旋涂第三层SU-8胶,前烘;取第四个掩膜版,将该掩膜版上的标记点与步骤(1)获得的硅片标记点对准,进行紫外线曝光,后烘;
(4)显影脱离:使用SU-8胶专用显影液显影;将带有胶结构的硅片浸入IPA(异丙醇)中,加以超声振荡,促使胶结构与硅片基底脱离;
(5)将脱离的胶结构放入热蒸发镀膜机里蒸镀金属,使得胶结构表面沉积一层金属层,即得到所需要的电喷雾离子聚集电极。
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