[发明专利]可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法

摘要

本发明公开一种可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其包含：1、衬底上制作浅沟槽隔离的存储单元、高压晶体管、低压晶体管的有源区，并形成其各自的掺杂阱，然后生长氧化物氮化物氧化物薄膜；2、光刻去除高压晶体管区的氧化物氮化物氧化物薄膜；3、高压晶体管区上生长厚栅极氧化物薄膜；4、光刻去除存储选择晶体管区与低压晶体管区的氧化物氮化物氧化物薄膜；5、存储选择晶体管区与低压晶体管区上生长栅极氧化物薄膜；6、整体生长栅极多晶硅薄膜；7、制作栅极图案；8、最后进行标准工序。本发明删除对存储选择晶体管区光刻去除厚栅极氧化物的工艺，消除厚栅极氧化物光刻工艺对存储单元设计规范的限制，利于存储单元尺寸的微缩。

主权项

一种可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、按标准工序， 先在硅衬底上制作浅沟槽隔离的有源区：存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区，再采用离子植入法形成该三种有源区的掺杂阱；然后依次生长氧化物、氮化物、氧化物三层薄膜，即氧化物氮化物氧化物薄膜；步骤2、光刻去除高压晶体管区上的氧化物氮化物氧化物薄膜；步骤3、高压晶体管区上生长厚栅极氧化物薄膜；步骤4、任意的一个存储单元由用于存储数据的储存控制晶体管和用于数据存储选择的存储选择晶体管，两个晶体管串联组成；光刻去除存储选择晶体管区与低压晶体管区上的氧化物氮化物氧化物薄膜；步骤5、存储选择晶体管区与低压晶体管区上生长栅极氧化物薄膜；步骤6、在存储选择晶体管区与低压晶体管区上的栅极氧化物薄膜、高压晶体管区上的厚栅极氧化物薄膜上，以及储存控制晶体管区上的氧化物氮化物氧化物薄膜上，整体生长栅极多晶硅薄膜；步骤7、分别对高压晶体管区、低压晶体管区、存储选择晶体管区，以及储存控制晶体管区进行光刻，制作晶体管的栅极图案；步骤8、在条状栅极的形成完成后，进行标准工序。