[发明专利]可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法

权利要求书

1.一种可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

步骤1、按标准工序， 先在硅衬底上制作浅沟槽隔离的有源区：存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区，再采用离子植入法形成该三种有源区的掺杂阱；

然后依次生长氧化物、氮化物、氧化物三层薄膜，即氧化物氮化物氧化物薄膜；

步骤2、光刻去除高压晶体管区上的氧化物氮化物氧化物薄膜；

步骤3、高压晶体管区上生长厚栅极氧化物薄膜；

步骤4、任意的一个存储单元由用于存储数据的储存控制晶体管和用于数据存储选择的存储选择晶体管，两个晶体管串联组成；

光刻去除存储选择晶体管区与低压晶体管区上的氧化物氮化物氧化物薄膜；

步骤5、存储选择晶体管区与低压晶体管区上生长栅极氧化物薄膜；

步骤6、在存储选择晶体管区与低压晶体管区上的栅极氧化物薄膜、高压晶体管区上的厚栅极氧化物薄膜上，以及储存控制晶体管区上的氧化物氮化物氧化物薄膜上，整体生长栅极多晶硅薄膜；

步骤7、分别对高压晶体管区、低压晶体管区、存储选择晶体管区，以及储存控制晶体管区进行光刻，制作晶体管的栅极图案；

步骤8、在条状栅极的形成完成后，进行标准工序。

2.如权利要求1所述的可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，所述的氧化物氮化物氧化物薄膜中，最靠近衬底的氧化物层采用高温热氧化生成；中间的氮化物层采用低压化学气相沉积生成；最外层的氧化物层采用高温热氧化或低压化学气相沉积生成。

3.如权利要求1所述的可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，所述的栅极氧化物薄膜与厚栅极氧化物薄膜采用高温热氧化生成。

4.如权利要求1所述的可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，所述的步骤2的光刻工序中，光刻胶必须都覆盖所述的存储单元区和低压晶体管区。

5.如权利要求1所述的可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，所述的步骤4的光刻工序中，光刻胶必须都覆盖所述的高压晶体管区、储存控制晶体管区。

6.如权利要求1所述的可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法，其特征在于，所述的步骤8包含以下步骤：

步骤8.1、植入轻掺杂源区和漏区；

步骤8.2、在各个条状栅极的侧面和顶面上形成用于保护栅极的间隔层；

步骤8.3、植入重掺杂源区和漏区；

步骤8.4、形成硅化物块或多晶硅化物块；

步骤8.5、形成接触孔、金属和金属接触窗。