[发明专利]光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法无效
申请号: | 201210080752.4 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN102692816A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 吉田光一郎 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/56 | 分类号: | G03F1/56;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;朱丽娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模的制造方法、图案转印方法以及显示装置的制造方法,即使在被加工体上形成细微的间距宽度的线与间隙图案的情况下,也基本不需要追加投资地进行图案形成。设定基于蚀刻被加工体时的蚀刻条件的侧蚀刻宽度α。根据侧蚀刻宽度α、膜图案的线宽WL和间隙宽度WS,确定转印用图案的线宽ML、间隙宽度MS。并且,确定在曝光时应用的曝光条件和半透光膜的光透射率,以便通过使用了具有所确定的线宽ML、间隙宽度MS的转印用图案的光掩模的曝光和蚀刻,在被加工体上形成线宽WL、间隙宽度WS的线与间隙的膜图案。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 图案 显示装置 | ||
【主权项】:
一种光掩模的制造方法,该光掩模在透明基板上具有包含间距宽度P的线与间隙图案的转印用图案,所述线与间隙图案具有由形成在所述透明基板上的半透光膜构成的线部分和由所述透明基板露出而形成的间隙部分,该光掩模通过使用了曝光装置和所述光掩模的曝光,在形成在被加工体上的抗蚀剂膜上转印所述转印用图案而形成线与间隙的抗蚀剂图案,通过将所述抗蚀剂图案用作掩模的蚀刻,在所述被加工体上形成线宽WL、间隙宽度WS的线与间隙的膜图案,在该光掩模的制造方法中,其特征在于,确定基于蚀刻所述被加工体时的蚀刻条件的侧蚀刻宽度α,根据所述侧蚀刻宽度α、所述膜图案的线宽WL和间隙宽度WS,确定所述转印用图案的线宽ML、间隙宽度MS,并且,确定在所述曝光时应用的曝光条件和所述半透光膜的光透射率,以便通过使用所述光掩模的所述曝光、和所述蚀刻,在所述被加工体上形成线宽WL、间隙宽度WS的线与间隙的所述膜图案,所述光掩模具有所确定的所述线宽ML、间隙宽度MS的所述转印用图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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