[发明专利]光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板上具有包含间距宽度P的线与间隙图案的转印用图案，所述线与间隙图案具有由形成在所述透明基板上的半透光膜构成的线部分和由所述透明基板露出而形成的间隙部分，

该光掩模通过使用了曝光装置和所述光掩模的曝光，在形成在被加工体上的抗蚀剂膜上转印所述转印用图案而形成线与间隙的抗蚀剂图案，

通过将所述抗蚀剂图案用作掩模的蚀刻，在所述被加工体上形成线宽W_L、间隙宽度W_S的线与间隙的膜图案，

在该光掩模的制造方法中，其特征在于，

确定基于蚀刻所述被加工体时的蚀刻条件的侧蚀刻宽度α，

根据所述侧蚀刻宽度α、所述膜图案的线宽W_L和间隙宽度W_S，确定所述转印用图案的线宽M_L、间隙宽度M_S，

并且，确定在所述曝光时应用的曝光条件和所述半透光膜的光透射率，以便通过使用所述光掩模的所述曝光、和所述蚀刻，在所述被加工体上形成线宽W_L、间隙宽度W_S的线与间隙的所述膜图案，所述光掩模具有所确定的所述线宽M_L、间隙宽度M_S的所述转印用图案。

2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

根据在所述曝光时应用的曝光条件的确定，确定所述半透光膜的光透射率。

3.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

根据所述半透光膜的光透射率的确定，确定在所述曝光时应用的曝光条件。

4.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

根据所述侧蚀刻宽度α、所述膜图案的线宽W_L和间隙宽度W_S，确定所述抗蚀剂图案的线宽R_L、间隙宽度R_S，

根据所述抗蚀剂图案的线宽R_L、间隙宽度R_S，确定所述转印用图案的线宽M_L、间隙宽度M_S。

5.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述抗蚀剂图案的线宽R_L、间隙宽度R_S分别与所述转印用图案的线宽M_L、间隙宽度M_S相等。

6.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述半透光膜的光透射率对于i线为1％～30％。

7.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述半透光膜的相移量对于i线为90度以下。

8.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述间距宽度P满足下式，其单位为μm：

P≤2R，

其中R＝k×(λ/NA)×1/1000

k：0.61

λ：用于所述曝光的波长的中央值，单位为nm

NA：用于所述曝光的曝光装置的光学系统的数值孔径。

9.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述间距宽度P为6μm以下。