[发明专利]处理辅助装置及方法、半导体的制造辅助装置及方法有效

专利信息
申请号: 201210078347.9 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN102737141B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 光成治喜 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 李伟,阎文君
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及处理辅助装置及方法、半导体的制造辅助装置及方法。导出通过下述区域内各坐标点和基准坐标点的各直线的截距中满足第二规定条件的截距,其中,该区域是指由通过使用不同设备实际处理数据库而满足第一规定条件的基准坐标点并且与表示枚数X的X轴平行的直线、表示处理时间Y的Y轴以及通过基准坐标点以及原点的直线所围成的区域(步骤156);导出各直线的斜率中满足第三规定条件的直线的斜率,其中,该各直线是通过由不同设备/配方实际处理数据库来表示的坐标点中具有规定个数以上的全部枚数X的各个坐标点和导出的截距的直线(步骤158);使用代入了被导出的截距以及被导出的斜率的回归式来计算处理时间(步骤160)。
搜索关键词: 处理 辅助 装置 方法 半导体 制造
【主权项】:
一种处理辅助装置,其包含:存储单元,其存储有第一二维坐标信息和第二二维坐标信息,其中,该第一二维坐标信息以二维坐标点表示利用规定设备来实施规定处理的被处理对象物的成为处理对象的单位个数X和对该单位个数X的该被处理对象物的该处理所需要的处理时间Y,该第二二维坐标信息按照每个设备名称信息并且按照每个配方信息以二维坐标点来表示所述单位个数X和所述处理时间Y,截距导出单元,其导出通过下述区域内的各坐标点和下述基准坐标点的各直线的截距中满足第二规定条件的截距,来作为以所述单位个数X为自变量、以所述处理时间Y为因变量、以所述设备固有的b为截距以及以a为斜率的下述(1)式所示的回归式的所述截距b,该区域是由通过在所述存储单元中存储的所述第一二维坐标信息所表示的坐标点中满足第一规定条件的基准坐标点并且与表示所述单位个数X的X轴平行的直线、表示所述处理时间Y的Y轴、通过所述基准坐标点以及原点的直线而围成的区域;斜率导出单元,其导出下述各直线的斜率中满足第三规定条件的直线的斜率作为所述斜率a,其中,该各直线通过由所述存储单元所存储的所述第二二维坐标信息所示的坐标点中具有规定个数以上的所述单位个数X的全部坐标点的各个坐标点和由所述截距导出单元导出的截距b;以及辅助单元,其使用代入了由所述截距导出单元导出的截距b以及由所述斜率导出单元导出的斜率a后的所述(1)式来辅助所述处理,Y=aX+b·····(1),所述第一规定条件采用如下条件:所述单位个数X为最大值的坐标点,并且所述处理时间Y属于第一时间段,所述第一时间段采用相对于由所述第一二维坐标信息表示的所述单位个数X为最大值的坐标点总数的比例为,从该单位个数X为最大值的坐标点的所述处理时间Y中最小的处理时间Y起的5%以上35%以下的处理时间Y。
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