[发明专利]处理辅助装置及方法、半导体的制造辅助装置及方法有效

专利信息
申请号: 201210078347.9 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN102737141B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 光成治喜 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 李伟,阎文君
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 辅助 装置 方法 半导体 制造
【权利要求书】:

1.一种处理辅助装置,其包含:

存储单元,其存储有第一二维坐标信息和第二二维坐标信息,其中,该第一二维坐标信息以二维坐标点表示利用规定设备来实施规定处理的被处理对象物的成为处理对象的单位个数X和对该单位个数X的该被处理对象物的该处理所需要的处理时间Y,该第二二维坐标信息按照每个设备名称信息并且按照每个配方信息以二维坐标点来表示所述单位个数X和所述处理时间Y,

截距导出单元,其导出通过下述区域内的各坐标点和下述基准坐标点的各直线的截距中满足第二规定条件的截距,来作为以所述单位个数X为自变量、以所述处理时间Y为因变量、以所述设备固有的b为截距以及以a为斜率的下述(1)式所示的回归式的所述截距b,该区域是由通过在所述存储单元中存储的所述第一二维坐标信息所表示的坐标点中满足第一规定条件的基准坐标点并且与表示所述单位个数X的X轴平行的直线、表示所述处理时间Y的Y轴、通过所述基准坐标点以及原点的直线而围成的区域;

斜率导出单元,其导出下述各直线的斜率中满足第三规定条件的直线的斜率作为所述斜率a,其中,该各直线通过由所述存储单元所存储的所述第二二维坐标信息所示的坐标点中具有规定个数以上的所述单位个数X的全部坐标点的各个坐标点和由所述截距导出单元导出的截距b;以及

辅助单元,其使用代入了由所述截距导出单元导出的截距b以及由所述斜率导出单元导出的斜率a后的所述(1)式来辅助所述处理,

Y=aX+b·····(1),

所述第一规定条件采用如下条件:所述单位个数X为最大值的坐标点,并且所述处理时间Y属于第一时间段,

所述第一时间段采用相对于由所述第一二维坐标信息表示的所述单位个数X为最大值的坐标点总数的比例为,从该单位个数X为最大值的坐标点的所述处理时间Y中最小的处理时间Y起的5%以上35%以下的处理时间Y。

2.根据权利要求1所述的处理辅助装置,其特征在于,

所述比例为10%以上20%以下。

3.根据权利要求1或者2所述的处理辅助装置,其特征在于,

所述第二规定条件采用如下的条件:自作为是否满足该第二规定条件的判断对象的所述截距中的最小截距起的、相对于成为该判断对象的截距总数的比例为5%以上35%以下。

4.根据权利要求3所述的处理辅助装置,其特征在于,

相对于成为是否满足所述第二规定条件的判断对象的截距总数的比例为10%以上20%以下。

5.根据权利要求1所述的处理辅助装置,其特征在于,

所述规定个数为从由所述第二二维坐标信息表示的坐标点中所述单位个数X的大值起的、具有上位50%的值的坐标点的个数。

6.根据权利要求1所述的处理辅助装置,其特征在于,

在由所述第二二维坐标信息表示的坐标点的总数在1000以上的情况下,所述规定个数采用从由所述第二二维坐标信息表示的坐标点中的所述单位个数X的大值起的、具有上位10%的值的坐标点的个数,

在由所述第二二维坐标信息表示的坐标点的总数比10大而不足1000的情况下,所述规定个数采用从由所述第二二维坐标信息表示的坐标点中所述单位个数X的大值起的、具有上位50%的值的坐标点的个数,

在由所述第二二维坐标信息表示的坐标点的总数在10以下的情况下,所述规定个数采用该总数。

7.根据权利要求1所述的处理辅助装置,其特征在于,

所述第三规定条件采用如下条件:相对于成为是否满足该第三规定条件的判断对象的斜率的总数的比例为从成为该判断对象的所述斜率中最小的斜率起的10%以上40%以下。

8.根据权利要求7所述的处理辅助装置,其特征在于,

相对于成为是否满足所述第三规定条件的判断对象的斜率的总数的比例为10%以上20%以下。

9.根据权利要求1所述的处理辅助装置,其特征在于,

所述辅助单元对代入了由所述截距导出单元导出的截距b以及由所述斜率导出单元导出的斜率a后的所述(1)式代入所述单位个数X,来计算所述处理时间Y,由此辅助所述处理。

10.根据权利要求1所述的处理辅助装置,其特征在于,

由第一二维坐标信息表示的坐标点采用由对所述设备指示执行所述处理的指示者所指示的所述单位个数X以及所述处理时间Y所示的二维坐标点。

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