[发明专利]通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法有效
| 申请号： | 201210077720.9 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102637603A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法，包括步骤：首先，在具有浅沟槽、栅极结构和轻掺杂漏/源区的硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一无定形碳层，刻蚀除去多余的无定形碳层形成栅极侧墙。其次，在硅衬底表面、栅极及栅极侧墙表面淀积一氮化硅薄膜层，并对氮化硅薄膜层下的整个硅衬底进行漏/源粒子的注入。接着，除去氮化硅薄膜层和侧墙，在硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一应力氮化硅层，对整个器件进行退火处理。最后，除去应力氮化硅层，进行后续硅化物形成过程。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 集成 工艺 增强 应力 记忆 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：首先，在具有浅沟槽、栅极结构和轻掺杂漏/源区的硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一无定形碳层，刻蚀除去多余的无定形碳层形成栅极侧墙；其次，在硅衬底表面、栅极及栅极侧墙表面淀积一氮化硅薄膜层，并对氮化硅薄膜层下的整个硅衬底进行漏/源粒子的注入；接着，除去氮化硅薄膜层和侧墙，在硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一应力氮化硅层，对整个器件进行退火处理；最后，除去应力氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
