[发明专利]MOCVD设备的清洁方法无效
| 申请号： | 201210077038.X | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102586753A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;杜志游;孟双 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOCVD设备的清洁方法，具体包括：向所述反应腔通入清洁气体，所述清洁气体至少包括Ar，利用所述等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；在所述反应腔顶部形成负偏压，使得所述清洁气体的等离子体被加速并轰击所述反应腔顶部，从而除去位于所述反应腔顶部的残余沉积物。由于所述清洁方法不需要反应腔降温，减少了两次MOCVD工艺之间的等待时间，使得MOCVD设备的生产效率和产能能大幅提高；且由于Ar的等离子体与金属不会发生化学反应，不会对反应腔内壁的材料造成腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 设备 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种MOCVD设备的清洁方法，所述MOCVD设备包括反应腔、等离子体处理装置，其特征在于，包括：向所述反应腔通入清洁气体，所述清洁气体至少包括Ar，利用所述等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；在所述反应腔顶部形成负偏压，使得所述清洁气体的等离子体被加速并轰击所述反应腔顶部，从而除去位于所述反应腔顶部的残余沉积物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
