[发明专利]砷化镓表面化学腐蚀方法和化学腐蚀液有效
| 申请号： | 201210076407.3 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102618936A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓文;班冬青;赵波;刘丽杰;刘文森 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞;王加岭 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对砷化镓晶片进行化学腐蚀的方法，包括：将砷化镓晶片使用金属清洗剂浸洗；在氨水中浸洗；将砷化镓晶片放入化学腐蚀液中，在10～40℃的温度下腐蚀晶片表面；以去离子水冲洗晶片表面；干燥晶片。本发明还提供了一种砷化镓晶片进行化学腐蚀的化学腐蚀液，由质量比3.2～20％的氨水、8.3～33.0％的双氧水和水组成。本发明通过有效的化学药液腐蚀工艺，去除机械加工工序所造成的晶片损伤层，消除晶片内部应力，制作满足外延生长背面粗糙度要求的晶片，得到背面均匀一致，无背侵，无背花的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 表面 化学 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种对砷化镓晶片进行化学腐蚀的方法，包括以下步骤：1)将砷化镓晶片使用金属清洗剂浸洗；2)在氨水中浸洗；3)将砷化镓晶片放入化学腐蚀液中，在10～40℃的温度下腐蚀晶片表面；4)以去离子水冲洗晶片表面；5)干燥晶片。
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