[发明专利]砷化镓表面化学腐蚀方法和化学腐蚀液

权利要求书

1.一种对砷化镓晶片进行化学腐蚀的方法，包括以下步骤：

1)将砷化镓晶片使用金属清洗剂浸洗；

2)在氨水中浸洗；

3)将砷化镓晶片放入化学腐蚀液中，在10～40℃的温度下腐蚀晶片表面；

4)以去离子水冲洗晶片表面；

5)干燥晶片。

2.如权利要求1所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤1)的金属清洗剂为碱性金属清洗剂水溶液，其质量浓度为10～50％，浸洗的时间为20～30分钟，浸洗的温度为60～70℃。

3.如权利要求1所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤2)使用质量浓度为5～20％的氨水溶液，浸泡时间5～10分钟后，使用去离子水冲洗。

4.如权利要求1所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤3)的腐蚀温度为25～35℃；腐蚀时间为3秒至1分钟。

5.如权利要求1～4任一所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤3)的整个过程中所述化学腐蚀液相对于砷化镓晶片表面流动；所述步骤3)之后以去离子水冲洗晶片表面。

6.如权利要求1～4任一所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤4)使用去离子水溢流漂洗与快排冲水相结合的方式冲洗晶片表面，冲洗时间为10秒至5分钟。

7.如权利要求1～4任一所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤4)之后再加以手动冲水的操作。

8.如权利要求1～4任一所述的化学腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤5)的干燥，是在40～60℃温度下干燥30～60秒。

9.一种用于权利要求1～8任一所述对砷化镓晶片进行化学腐蚀的化学腐蚀液，由质量含量3.2～20％的氨水、8.3～33.0％的双氧水和水组成。

10.如权利要求9所述的化学腐蚀液，其特征在于，是由质量含量10.0～20.0％的氨水、20～33.0％的双氧水和水组成。