[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210075741.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102969426B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种发光器件，所述发光器件包括发光结构，被分成多个发光单元和一边界区，多个发光单元分别包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，被设置在每一个发光单元上；第一导电层，被设置在发光单元下方；至少一个第二导电层，被设置在第一导电层下方；第一绝缘层，被设置在每一个第一导电层之间，并被设置在第一导电层与至少一个第二导电层之间；以及连接电极，将一个发光单元上的第一电极与另一个发光单元下方的至少一个第二导电层连接。至少一个第二导电层穿过第一绝缘层而与一个第一导电层连接。根据本实施例的发光器件，可以分散集中的电场，因此可以防止发光器件损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，被分成多个发光单元和一边界区，所述多个发光单元分别包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，被设置在每一个所述发光单元上；多个第一导电层，被设置在所述多个发光单元下方；多个第二导电层，对应于所述多个第一导电层，被设置在所述多个第一导电层下方；第一绝缘层，被设置在各所述第一导电层之间，以及被设置在所述多个第一导电层与所述多个第二导电层之间；保护层，被设置在所述边界区上；以及连接电极，将一个发光单元上的所述第一电极与另一个发光单元下方的所述多个第二导电层中的一个连接，其中，所述多个第二导电层中的每一个与所述多个第一导电层对应的一个间隔开，并且布置在所述第一绝缘层下方，其中所述多个第二导电层中的每一个穿过所述第一绝缘层而与所述多个第一导电层中对应的一个连接；并且其中所述连接电极穿过所述保护层和所述第一绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210075741.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
