[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年9月01日在韩国提交的申请号为10-2011-0088636的韩国申请的优先权，其主要内容通过引用的方式全部并入此处，就如将其全文描述于此一样。

技术领域

本发明的实施例可以涉及一种发光器件、发光器件封装、照明器件以及显示器件。

背景技术

基于有机化学气相沉积的发展以及氮化镓(GaN)的分子束生长，能够呈现高发光性和白光的红色、绿色以及蓝色发光二极管(LED)已经取得进展。

这种发光二极管(LED)可以具有良好的环保(因为不具有诸如汞(Hg)等对环境有害的物质)、使用寿命长以及功耗低等优点。结果是，发光二极管(LED)已经取代了现有光源。这种LED的核心竞争力可以是通过高效率和高输出的芯片和封装技术使高发光性的实现成为可能。

为了实现高发光性，重要的是提高光提取效率。为了提高光提取效率，已经研究和开发有使用倒装芯片、表面毛化、图案化蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术以及抗反射层结构等各种方式。

发明内容

因此，实施例可以提供一种能够防止可能由于高驱动电压引起的损坏的发光器件。

在一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，被分成多个发光单元和一边界区，多个发光单元分别包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，被设置在每一个发光单元上；第二电极，被设置在每一个发光单元下方；多个第一导电层，被设置在多个发光单元下方；至少一个第二导电层，被设置在第一导电层下方；第一绝缘层，被设置在各导电层之间以及在多个第一导电层与至少一个第二导电层之间；以及连接电极，被配置成将一个发光单元上的第一电极与第二发光单元下方的至少一个第二导电层连接。通过第二导电层与连接电极之间的连接，发光单元可以彼此串联连接。

对应于除发光单元的一个之外的其它发光单元的至少一个第二导电层可以彼此间隔预定距离。

第一导电层可以包括：反射层，被设置在第二导电类型半导体层下方；以及第一阻挡层(barrier layer)，被设置在反射层下方。

发光器件还可以包括：第二阻挡层，被设置在至少一个第二导电层下方并与多个第一导电层其中之一电连接；以及第二绝缘层，位于各第二导电层之间且位于第二阻挡层与至少一个第二导电层之间。

连接电极可以将相邻的两个发光单元其中之一的第一电极与对应于相邻的两个发光单元的另一个的第二导电层连接。

发光器件还可以包括：钝化层，被设置在每一个发光单元与连接电极之间；以及保护层，被设置在边界区上。

连接电极可以穿过保护层和第一绝缘层而被设置在钝化层上。

至少每一个第二导电层的预定区域可以穿过第一绝缘层而与对应的第一导电层接触。

第二导电层的预定区域可以沿垂直方向与相邻的边界区的相邻区域重叠。对应于其它发光单元之一设置的第二导电层的至少预定区域沿垂直方向与相邻于所述其它发光单元之一的另一个发光单元重叠。

这些导电层的每一个可以包括：基板，形成为板状且与连接电极连接；以及穿通部，从基板突出且穿过第一绝缘层而与对应的第一导电层连接。例如，穿通部可以连接至对应的第一导电层的阻挡层。

穿通部可以由与用于基板的材料相同的材料形成，并且可以与基板整体形成。穿通部可以与基板的侧表面接触。穿通部的一侧具有的长度可以与基板的一侧具有的长度相同。可以在基板的上表面和下表面至少之一中形成粗糙部(roughness)。第二导电层可以由反光材料形成。发光器件还可以包括被设置在第二阻挡层下方的支撑层。

根据本实施例，可以分散集中的电场，因此可以防止发光器件损坏。

附图说明

可以参照下列附图来详细描述排列和实施例，所述附图中相似的附图标记表示相似的元件，其中：

图1为示出根据第一实施例的发光器件的平面图；

图2为示出图1所示的发光器件的沿AB方向的剖视图；

图3为示出图1所示的发光器件的沿AB方向和CD方向剖出的透视图；

图4示出图2所示的第二导电层的第一实施例；

图5示出图2所示的第二导电层的第二实施例；

图6示出图2所示的第二导电层的第三实施例；

图7示出图2所示的第二导电层的第四实施例；

图8示出图2所示的第二导电层的第五实施例；

图9示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装；