[发明专利]超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210075628.9 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102593717A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郑钢;雷军;李弋;武德勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/024 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚;吴彦峰 |
| 地址： | 621900 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器，特别是超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，上下金属电极层，前后腔面分别镀的增透膜和高反射薄膜，在上金属化层和上金属电极层之间的上金属化层表面开有至少两条沟槽，两相邻沟槽之间设有载流子限制绝缘凸起。制备方法是采用光刻技术与刻蚀技术在上金属化层制备沟槽，然后在金属化层上沉积载流子限制层；将沟槽之间的载流子限制层进行裁减，形成载流子限制绝缘凸起。本发明绝缘层厚度低，可以使半导体激光器的散热更加快速，有利于半导体激光器功率和寿命的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 绝缘 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄绝缘层半导体激光器，包括衬底（1）上的下金属化层（2），下限制层（3），下波导层（4），下过渡层（5），量子阱层（6），上过渡层（7），上波导层（8），上限制层（9），上金属化层（10），上下金属电极层（11、12），前后腔面分别镀的增透膜和高反射薄膜，其特征在于在上金属化层（10）和上金属电极层（12）之间的上金属化层（10）表面开有至少两条沟槽（17），两相邻沟槽（17）之间设有载流子限制绝缘凸起（14）。
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