[发明专利]氮化镓功率晶体管三电平驱动方法

摘要

本发明的氮化镓功率晶体管三电平驱动方式，在现有两电平驱动方式的基础上，针对反向导通机制带来的导通压降大的问题，提出在栅源极驱动信号的死区时间内预置一个低于门槛电压的电平。在氮化镓功率晶体管需要反向导通机制工作时，在其驱动器的低端接一个低于开关管门槛电压的中间电平Vx，由该中间电平Vx补偿晶体管反向导通机制引起的栅漏极电压Vgd，使源漏极压降从Vth减小为Vth-Vx，晶体管反向导通压降减小。最终降低反向导通功耗，提高变换器的效率。该三电平驱动方式可用于一切需要氮化镓功率晶体管反向导通机制工作的场合，典型应用为互补导通控制的桥臂结构以及同步整流管。

主权项

一种氮化镓功率晶体管的三电平驱动方法，其特征是：在氮化镓功率晶体管需要反向导通机制工作时，在其驱动器的低端接一个低于开关管门槛电压的中间电平Vx，由该中间电平Vx补偿晶体管反向导通机制引起的栅漏极电压Vgd，使源漏极压降从Vth减小为Vth‑Vx，晶体管反向导通压降减小。