[发明专利]绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法无效
| 申请号： | 201210067246.1 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102593005A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张轩雄;杨帆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法，包括：在GeOI材料的Ge面涂上光刻胶，并进行光刻；光刻之后进行坚膜，然后刻蚀掉部分Ge及对应的绝缘层；去除光刻胶，然后外延生长一层Si膜；去除Ge表面生长的Si膜；后续处理，得到绝缘体上锗硅混合型衬底。利用本发明，能够制备出高质量的锗硅混合型衬底，利于发挥出Ge基pMOS和{001}Si基nMOS各自载流子迁移率高、晶体管性能好的优势；同时利于新型材料结构集成，利于新型器件电路集成。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上锗硅 混合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在GeOI材料的Ge面涂上光刻胶，并进行光刻；步骤2：光刻之后进行坚膜，然后刻蚀掉部分Ge及对应的绝缘层；步骤3：去除光刻胶，然后外延生长一层Si膜；步骤4：去除Ge表面生长的Si膜；步骤5：后续处理，得到绝缘体上锗硅混合型衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
