[发明专利]一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：(1)将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N2，N2流量10~30slm；(2)待温度稳定后，使炉内各温区的温度均升至850~900℃，升温的同时通入0.2~2slm携三氯乙烷的N2、1~5slmO2和10~30slmN2气体，以实现重掺，重掺方阻控制在30~60Ω/□；(3)将各温区降至扩散温度820~840℃，通入携POCl3的N2进行扩散；(4)将各温区的温度降至780~800℃，停止通入携POCl3的N2，推进时间为10~25min，以实现浅掺，浅掺方阻控制在70~120Ω/□；(5)将硅片降温，取出硅片，完成扩散过程。本发明采用高温实现掺杂剂扩散，实现了选择性发射极的重掺和浅掺，同时对多晶硅材料进行了吸杂，大大提高了转换效率。

主权项

一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N2，N2流量10~30 slm；(2) 待温度稳定后，使炉内各温区的温度均升至850~900℃，升温的同时通入0.2~2 slm携三氯乙烷的N2、1~5 slm O2和10~30 slm N2气体，时间为30~50 min，以实现重掺，重掺方阻控制在30~60Ω/□；(3) 将各温区降至扩散温度820~840℃，通入携POCl3的N2进行扩散，携POCl3的N2的流量为0.5~2 slm，O2流量为0.5~1 slm；N2流量为10~30 slm，扩散时间为10~30 min；(4) 将各温区的温度降至780~800℃，停止通入携POCl3的N2，推进时间为10~25 min，以实现浅掺，浅掺方阻控制在70~120Ω/□；N2流量为10~30 slm，O2流量为0.5~1 slm；(5) 将硅片降温，取出硅片，完成扩散过程。