[发明专利]一种复合型氧化钛基磁性材料及其制备方法有效
申请号: | 201210066613.6 | 申请日: | 2012-03-14 |
公开(公告)号: | CN102610350A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 周向志;胡巍巍;华楠 | 申请(专利权)人: | 杭州广荣科技有限公司 |
主分类号: | H01F1/40 | 分类号: | H01F1/40;C30B29/16;C30B29/22;C04B35/46 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310012 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合型氧化钛基磁性材料及其制备方法。制备了氧化钛基稀磁半导体多晶粉末,分子结构式Ti1-xTMxO2,并用相同方法制备不掺杂TM的TiO2多晶粉末,将两种粉末通过研磨的方式复合,获得了稀磁半导体粉体样品。用钛酸丁酯作为前驱物,溶于乙醇溶液中,加入适量的稳定剂硝酸及络合剂柠檬酸,搅拌完全溶解后,经过陈化、烘干、热处理后,得到TiO2多晶粉末,用同样的方法,在前驱物中加入过渡金属盐,则得到Ti1-xTMxO2多晶粉末,将两种粉体混合,充分研磨后,再次进行热处理,制得所需的复合型氧化钛基磁性材料。在制得具有室温铁磁性氧化钛基稀磁半导体材料的基础上,通过与TiO2复合,提高材料磁性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合型 氧化 磁性材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种复合型氧化钛基磁性材料,其特征在于由重量比为1:3~5的氧化钛基稀磁半导体材料和二氧化钛复合而成,氧化钛基稀磁半导体材料的分子结构式为Ti1‑xTMxO2,TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni或Mn,其摩尔百分比浓度为0<x≤10%,二氧化钛分子式为TiO2。
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