[发明专利]一种硅片金相样品的简易制备方法无效

专利信息
申请号: 201210064597.7 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN102589951A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 宫龙飞;王风振 申请(专利权)人: 苏州协鑫工业应用研究院有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 肖明芳
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硅片金相样品的简易制备方法,选取平整的圆柱作为硅片的载板;将热熔胶置于载板上,加热载板至热熔胶熔化;将硅片平放在载板中间覆盖于热熔胶之上,用另一个平整的压块施压于硅片上;冷却载板至室温,使热熔胶固化;对制备好的样品进行抛光处理;抛光处理后,重新加热载板使固熔胶熔化,硅片脱落取下;清洗硅片,完成超薄硅片的金相制样。本发明工艺简单,操作方便,实施成本低,制备的薄硅片样品在磨抛过程中不翘曲、无破碎,表现稳定,更为关键的是加工完成后硅片能够方便取出,实现了对超薄硅片显微结构的全方位观察,并能够方便选取特定区域进行诸如成分或者结构分析,进而做硅片特定区域的原位多角度、多手段表征和检测。
搜索关键词: 一种 硅片 金相 样品 简易 制备 方法
【主权项】:
一种硅片金相样品的简易制备方法,其特征在于,它包括如下步骤:(1)选取平整的圆柱作为硅片的载板;(2)将热熔胶置于载板上表面,加热载板至热熔胶熔化;(3)将硅片平放在载板上表面且覆盖于热熔胶之上,用另一个平整的压块施压于硅片上;(4)冷却载板至室温,使热熔胶固化;(5)对步骤(4)制备好的样品进行抛光处理;(6)抛光处理后,重新加热载板使固熔胶熔化,硅片脱落取下;(7)清洗硅片,完成超薄硅片的金相制样。
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